IT之家7月14日消息2021年国产IP与定制芯片生产大会中，三星电子公开了自己的下一代芯片代工制程规划：3纳米制程将在2023年投产。然而，三星此前曾表示3纳米制程将在2022年投用。
据三星解释，早先定于2022年投用的3纳米工艺是3GAE版本，即3nmgate-all-aroundearly，可以理解为3纳米工艺的试错版本。而三星在2023年推出的3纳米工艺是3GAP，即3nmgate-all-aroundplus，可以将其理解为3纳米工艺的强化版。
此外据Digitimes分析，结合英特尔公司发布的芯片制程标准参数可知。台积电的3纳米工艺可以做到2.9亿颗/平方毫米，三星的3纳米工艺可以做到1.7亿颗/平方毫米。三星的3纳米制程指标甚至连英特尔的7纳米工艺都不如。
不过Anandtech报道，对于3GAE没有出现在路线图中，但3GAP却出现了，三星的一位发言人回应称，三星一直在与客户探讨3GAE工艺，将在2022年如期量产。
IT之家了解到，三星最初在2019年5月宣布其基于MBCFET的3GAE和3GAP节点。三星表示，与7LPP相比，3GAE的性能提高35%，功耗降低50%，面积减少45%。
值得一提的是，上月底，三星宣布3nmGAA制程技术已经正式流片。据介绍，三星的3nm制程采用的是GAA架构，性能优于台积电的3nmFinFET架构。
作为对比，台积电3纳米芯片将于2022年下半年开始量产。
