【TechWeb】1月29日消息，据外媒报道，自1993年市场份额超过东芝以来，三星电子在随后的30年，一直是全球最大的DRAM制造商，市场份额要明显高于其他厂商。
而已连续30年是全球最大DRAM厂商的三星电子，仍在不断开发新的技术、新的产品，以保持他们在这一领域的优势。外媒最新的报道就显示，三星电子已在硅谷，新设研发实验室，专注于下一代3DDRAM的研发。
外媒是援引业内的消息，报道三星电子已在硅谷新设实验室的。新的实验室，在设备解决方案部门美国分部在硅谷的总部之下运营，由三星电子设备解决方案部门首席技术官、半导体研发机构的主管SongJae-hyeok领导。
在报道中，外媒还提到，三星电子新设立的这一研发实验室，将研发更先进的DRAM产品，以便他们引领全球3D存储芯片市场。
作为当前全球最大的存储芯片制造商，三星电子在2013年，就已在业内率先将3D垂直结构NAND闪存芯片商业化，他们也计划将3D结构用于DRAM。在去年10月份，三星电子就曾表示，他们准备将新的3D结构用于10nm及以下制程工艺的DRAM，能大幅提升单颗芯片的容量，达到100G以上。
在三星电子去年于日本举行的“VLSI研讨会”上，他们发表了一篇包含3DDRAM研究成果的论文，并提供了作为实际半导体实现的3DDRAM的详细图像。
