台积电N3E工艺良率进展超预期

《科创板日报》24日讯，据知名科技网站Tom‘s handware消息，台积电N3E工艺良率超预期，N3E SRAM的良率明显高于N3，其中256Mb SRAM的平均良率约为80%，移动设备以及HPC芯片的良率也为80%左右。据悉，N3E工艺为N3工艺的加强版，其性能和功耗表现更好，此前有消息称苹果M3芯片将采用台积电N3E工艺。