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SK海力士开发出238层NND闪存芯片 明年上半年量产

SK海力士开发出238层NND闪存芯片 明年上半年量产

新浪科技讯北京时间8月3日消息,韩国SK海力士(SK Hynix)已经开发出238层NAND闪存芯片,它可以用于PC存储设备、智能手机和服务器。上周美光也开始出货232层NAND闪存芯片。

SK海力士宣称新的238层芯片是最小的NAND闪存芯片,数据传输速度相比上代产品提升50%,读取数据消耗的能量降低21%。SK海力士准备于2023年上半年开始大规模生产新芯片。

英特尔NAND业务被SK海力士收购后更名为Solidigm,它与SK海力士合计占有全球NAND闪存市场的18%,仅次于三星的35.3%和Kioxia的18.9%。(星海)

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