首页 > 科技圈 > 正文

三星明年量产430层闪存!但有人瞄准了1000+层

快科技4月16日消息,三星计划在本月晚些时候开始量产第九代V-NAND闪存,可用的堆叠层数达290层,相比现在的236层只增加不到23%。

这一代新闪存将采用新的堆叠架构,底部是CMOS层加逻辑电路,上边是145层闪存阵列,再上边又是145层闪存阵列。

这种方法虽然更复杂,但是良品率可以得到很好的保障,而且可以轻松进一步拓展。

按照三星的规划,2025年下半年将量产第十代V-NAND,进一步堆叠到430层。

更遥远的未来,三星可能会在2030年左右做到1000层。

中国长江存储可能会在今年下半年量产300层,SK海力士计划明年初量产321层,铠侠号称2031年量产1000多层!

【本文结束】如需转载请务必注明出处:快科技责任编辑:上方文Q

【本文结束】如需转载请务必注明出处:快科技

责任编辑:上方文Q

相关阅读:
小米SU7电池号称能用15年!关键看这两点 浏览器的无痕模式难道只是脱裤子放屁!谷歌差点赔了50亿